Bereich Mikrosystemtechnik

Reinraum und Lithografie

• Reinraum ISO-Klasse 3
• Raith Elektronenstrahl-Lithografie mit EBIE und Nanomanipulation (seit 04/2026)
• Heidelberg Instruments µPG 101 Laser-Direktschreibsystem
• Süss MJB21 beidseitiger Maskaligner (4″)
• Photolithografische Prozesse (Image-Reversal-Resisttechnologie, Dickresist-Technologie mit SU-8, vielfältige Standard-Resisttechnologien)
• Aufbau zur Mehrstrahlinterferenzlithografie
• Nasschemie-Bereich mit Reinstwasser, Ultraschall und Lackschleuder

Beschichtung und Vakuumtechnik

• Balzers Magnetron-Sputteranlage für Schichtsysteme (3 Targets, 3″)
• Pink Magnetron-Sputteranlage mit IBE für Schichtsysteme (3 Targets, 6″) (derzeit in Überholung)
• Hochfrequenz-Sputteranlage für dielektrische Schichten (SiO₂)
• Satis Elektronenstrahl-Verdampfer (4 Tiegel)
• HVD thermischer Verdampfer (1 Tiegel)
• BENEQ R2 Atomic Layer Deposition für Al₂O₃ und Si₃N₄
• Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
• Diverse Vakuumanlagen für allgemeine Anwendungen (bis 10⁻⁹ mbar)
• Ausgasraten-Messstand (Eigenbau)

Ätzen und Ionenstrahltechnik

• Oxford Instruments PlasmaPro 100 Cobra ICP-Ätzanlage
• Ion Beam Etcher (IBE) mit 4″-Kaufman-Quelle
• Hohlkathoden-Ionenquelle bis 5 keV (Eigenbau)
• SPECS IQE 11 Heißkathoden-Ionenquelle

Aufbau- und Verbindungstechnik

• Acretech SS11 Wafersäge
• Wafer-Ritzautomat (Karl Süss)
• TPT HB05 Wire Bonder

Analytik und Charakterisierung

• Jeol JSM-6380LV Rasterelektronenmikroskop mit Low-Vacuum-Option und Ametek Octane Elect EDX
• Omicron AFM-1 UHV-AFM/STM-System (derzeit in Überholung)
• Digital Instruments CP II Rasterkraftmikroskop
• Bruker Dektak Pro Profilometer
• Precitec CHRocodile Profilometer (chromatisch-konfokal)
• Optische Mikroskopie, unter anderem Keyence VHX
• Interferenzoptisches Schichtdickenmessgerät
• Spektroskopisches Ellipsometer und Weißlichtinterferometer
• Theta-2-Theta-Messplatz, z. B. zur Analyse der Beugung an optischen Mikrostrukturen
• Quadrupol-Massenspektrometer

Bereich Photonik

Lasersysteme

• Ti:Saphir-Festkörperlaseroszillator Mai Tai (Spectra-Physics), 84 MHz, 25 fs, >400 mW @ 800 nm – Seed-Laser des Laserverstärkers
• Festkörperlaser Ascend 60, 527 nm, 1 kHz, 30 W, 140 ns, 35 mJ – Pumplaser des Laserverstärkers und für ns-Lasertemper-Experimente
• Ti:Saphir-Laserverstärkersystem Spitfire Ace (Spectra-Physics), 7 W @ 800 nm, 1 kHz und umstellbar auf 10 kHz, 100 fs, 7 mJ Pulsenergie @ 1 kHz – für die Herstellung von femtosekundenlaser-schwefelhyperdotiertem Schwarzem Silizium
• Optisches Ergänzungskit zum Umbau des Verstärkers auf 35 fs Pulsdauer

Strahlführung und Materialbearbeitung

• Vibrationsgedämpfter Lasertisch M-RS2000 inklusive Lasersicherheitseinrichtung, Flowboxen und Klimatisierung
• Computergesteuerte Strahlabschwächung
• 3D-Microscanner von LightFab: kombiniertes Galvanometer-/mechanisches Laserscansystem
• Hochpräzise mechanische 3-Achs-Stage von Newport, 150 mm Verfahrweg

Charakterisierung

• Laserstrahl- und Pulscharakterisierung (Autokorrelator inklusive Detektormodule, IR-Viewer, Strahlleistungsmessgerät, Spektrometer zur Bandbreitenmessung, Strahlprofilometer)
• Spektroskopisches Ellipsometer und Weißlicht-Spektrometer von PerkinElmer (200–3300 nm)
• UV-VIS-NIR-Spektrometer mit Ulbrichtkugel von PerkinElmer