Prof. Dr. Sören Schäfer
Prof. Dr. Sören Schäfer
Seit Juli 2025 bin ich als Vertretungsprofessor für Angewandte Physik in den Fachbereich Ingenieurwissenschaften der Hochschule RheinMain (HSRM) bestellt. Hier bewege ich mich neben Aufgaben in der Lehre in den Forschungsbereichen der Lasermaterialfunktionalisierung sowie in der Konzeptionierung und Charakterisierung von Silizium-basierten Photodetektoren. Im Zuge des REQUAS-Qualifikationsprogramms bin ich außerdem am Fraunhofer-Institut für Mikrotechnik und Mikrosysteme angestellt, wo ich mich mit Mikrosensoren für Spezialanwendungen beschäftige.
- Seit 2020
Professur für Mikro- und Nanotechnologien, Hochschule RheinMain, Rüsselsheim - Seit 2009
Wissenschaftlicher Mitarbeiter der Forschungsabteilung MAT, GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung, Darmstadt - 2008 – 2009
PostDoc an der LMU München, Lehrstuhl Habs - 2008
Promotion in Physik, Goethe-Universität Frankfurt am Main - 2003
Diplom in Physikalischer Technik, Fachhochschule Wiesbaden
- Materialforschung, insbesondere Halbleiter wie Silizium
- Lasertechnologie zur Materialfunktionalisierung
- Sensorik und MEMS-Technologie
- Photodetektoren und Solarzellen
- Hyperdotierung mittels Ultrakurzpulslaser zur Entwicklung IR-sensitiver Siliziumphotodetektoren
- Mikrosensoren für Spezialanwendungen in Bereichen Energie und Medizin
- S. Schäfer, X. Liu, P. Mc Kearney, S. Paulus, B. Radfar, V. Vähänissi, H. Savin, and S. Kontermann, "Effective Carrier Lifetime in Ultrashort Pulse Laser Hyperdoped Silicon: Sulfur Concentration Dependence and Practical Limitations", Phys. Status Solidi A, vol. 221, 2400132 (2024). 10.1002/pssa.202400132
- S. Paulus, S. Schäfer, P. Mc Kearney, T. Niemeyer, M. Seibt, and S. Kontermann, "Defect engineering for improved thermal stability of sulfur hyperdoped silicon", Materials Science in Semiconductor Processing, vol. 176, 108297 (2024). 10.1016/j.mssp.2024.108297
- P. Mc Kearney, S. Schäfer, X. Liu, S. Paulus, I. Lebershausen, B. Radfar, V. Vähänissi, H. Savin, and S. Kontermann, Impact of Pulse Duration on the Properties of Laser Hyperdoped Black Silicon", Advanced Photonics Research, vol. 5, 2300281 (2024). 10.1002/adpr.202300281
- P. Mc Kearney, S. Schäfer, S. Paulus, M. Roser, F. Piermaier, I. Lebershausen, and S. Kontermann, "Ultrafast laser heating for controlling the optoelectronic properties of sulfur hyperdoped black silicon", J. of Appl. Phys., vol. 133, 013102 (2023). 10.1063/5.0130743
- S. Schäfer, P. Mc Kearney, S. Paulus, and S. Kontermann, "Analytical model forextracting optical properties from absorptance of femtosecond-laser structured
- S. Schäfer, A. Mercker, A. Köhler, T. Neubert, L. Mettner, B. Wolpensinger, V. Mertens, and R. Peibst, "Role of oxygen in the UV-ps laser triggered amorphization of poly-Si for Si solar cells with local passivated contacts", J. Appl. Phys., vol. 129, 133103 (2021). 10.1063/5.0045829
- S. Schäfer, F. Haase, C. Hollemann, J. Hensen, J. Krügener, R. Brendel, and R. Peibst, "26%-efficient and 2 cm narrow interdigitated back contact silicon solar cells with passivated slits on two edges", Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 200, 110021 (2019). 10.1016/j.solmat.2019.110021
- S. Schäfer, R. Brendel, "Accurate Calculation of the Absorptance Enhances Efficiency Limit of Crystalline Silicon Solar Cells With Lambertian Light Trapping", IEEE J. Photovoltaics, vol. 8(4), 1156 (2018). 10.1109/JPHOTOV.2018.2824024 hyperdoped silicon", J. Appl. Phys., vol. 131, 243102 (2022). 10.1063/5.0094177
Campus Rüsselsheim, Gebäude A2, Raum 115
Am Brückweg 26, 65428 Rüsselsheim
E-Mail: soeren.schaefer@hs-rm.de