Ausstattung

  • Reinraum der Klasse 3,
  • UV-Laserlithographie
  • Photolithographische Prozesse (Image-Reversal-Resisttechnologie, Dickresist-Technologie mit SU-8, vielfältige Standard-Resisttechnologien)
  • Doppelseitiger Maskaligner (Karl Süss, Kontakt- bzw. Proximitybelichtung)
  • Nasschemische isotrope und anisotrope Ätztechnik (für Silizium und Gläser)
  • Trockenätztechnik (Reactive Ion Etching) und Ionenstrahlätzen
  • Beschichtungstechniken (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
  • Wafer-Ritzautomat (Karl Süss), Wafersäge DISCO zum Vereinzeln von Silizium- und Glaswafern
  • Aufbau zur Mehrstrahlinterferenzlithographie (im Labor für Technische Optik)
  • Theta – 2 Theta – Messplatz, z.B. zur Analyse der Beugung an optischen Mikrostrukturen
  • Laserlithographiegerät µPG 101 von Heidelberg Instruments zur Herstellung von Strukturen im sub-μm-Bereich (bis etwa 0,6 μm) ohne Lithographiemasken
  • RIE-ICP-Anlage (Plasmalab System 100 von Oxford Instruments) zur flexibleren Einstellung der Ätzparameter wie Anisotropie, Flankenwinkel, Ätzrate und Oberflächenrauheit

 

Zur Charakterisierung der Mikrostrukturen dienen u.a.:

  • AFM-STM PARC Scientific CP2
  • Schichtdicken- und Oberflächen-Profilometer DEKTAK 3
  • Chromatischer Oberflächentaster PRECITEC CHROCODILE
  • Mehrere Optische Mikroskope mit CCD-Kamera, Bildverarbeitung etc.
  • Interferenzoptisches Schichtdickenmessgerät
  • Spektroskopisches Ellipsometer und Weißlichtinterferometer (im Labor für Technische Optik)
  • Rasterelektronenmikroskop (im Mehrzweck-Labor)